标题
结构、光学和电学性质的某人掺杂和无掺杂Agin1-xgaxse2 Ag (Inga) se 5(8)薄膜
文档类型
文章
出版日期
3 - 2014
出版来源
自然史状态苏A-Applications和材料科学
卷号
211年
问题数量
3
第一页
714年
最后一页
722年
出版商
威利
石头
1862 - 6300
文摘
锑掺杂和无掺杂纳米薄膜的反对1−x遗传算法xSe2和Ag (InGa)5Se8在光学平面钠钙玻璃基板由co-evaporation过程三个阶段。能量色散x射线分析(EDAX)和x射线光电子能谱学结合原子力显微技术和扫描电子显微镜技术,分别对成分和表面形态分析的电影。x射线衍射(XRD)分析了电影的数据来估计锑掺杂的影响和镓铟置换,在电影的结构,通过确定anion-cation债券长度和阴离子在薄膜位移。带隙的明显依赖电影的构成建立了带隙的可能性裁剪的电影。低温光学吸光度测量在90 - 301 K温度制度是用来调查掺杂的影响带隙的温度系数的电影。卢瑟福散射光谱量化导电影的厚度(σ)测量。电影表现出n型电导率与ln(两个线性区域σ)与温度倒数图,标明缺陷激活传导和本征导电,分别在室温和高温地区。
关键字
电导率、光学性质,下令空置化合物,薄膜,Cuinse2黄铜矿半导体、缺陷物理,物理,Aggase2晶体,价带,在se、增长,差距,合金
建议引用
雅各,拉贾尼斯蒂芬·k·Remillard DeYoung Paul a . Uday p . Deshpande, t . Shripathi诉Ganesan约翰Naduvath, p . v . Sreenivasan和瑞秋丽娜Philip。“某人掺杂结构、光学和电学性质和无掺杂AgIn1−xGaxSe2和Ag (InGa) 5 se8薄膜。”自然史地位苏(a)211年,没有。3(2014年3月1日):714 - 22所示。doi: 10.1002 / pssa.201330370。
